KSM32RS4/16MEI- Memória de 16GB RDIMM DDR4 3200Mhz 1,2V 1Rx4 com chips Micron para Servidores

SKU: KSM32RS4/16MEI

Preço:
Preço promocionalR$ 1.483,30

Descrição

16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg CL22 DIMM 1Rx4 Micron E IDT

INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo:

Memória Proprietária

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Código de Produto:

Código UPC

Peso do Produto 

Peso do Produto no Blister

Dimensões do Produto 

(larg. x alt. x espessura)

Dimensões do Produto na embalagem

(larg. x alt. x espessura)

KSM32RS4/16MEI

740617295979

17,6g

56,2g

133,35 x 31,25 x 2,1

184,1 x 129,54 x 14

KSM32RS8/8MEI

740617295931

17,6g

56,2g

133,35 x 31,25 x 2,1

184,1 x 129,54 x 14

Descrição:

 

 

 

As Memórias KSM da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos.

Descrição Resumida:

A memória proprietária da Kingston® para servidor é projetada para garantir 100% de compatibilidade com sistemas específicos.

Capacidade:

8Gb e 16Gb

Velocidade da Frequência:

3200MHz

Cor:

Padrão

Garantia:

Vitalícia

Suporte Técnico Local:

Gratuito. 0800 810 5464

Características / Benefícios:

DDR4

VDD = 1,2V

VPP = 2,5V

VDDSPD = 2,41V a 2,75V

Funcionalidade e operações obedecem com o a ficha técnica DDR4 SDRAM

16 bancos internos

Bank Grouping aplicado, o acesso a latência CAS a CAS para bancos no mesmo grupo ou em grupos diferentes está disponível.

Taxas de transferência de dados: PC4-3200, PC4-2933, PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600

Data Strobe Diferencial Bi-direcional

Pre-fetch de 8 bit

BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

Suporte a detecção e correção de erros ECC

Terminação na placa utilizando o pino ODT

Sensor de temperatura com SPD integrado

Em conformidade com RoHS

Direcionamento por DRAM suportado

Escrita CRC suportada em todas as velocidades

Modo de paridade CA suportado

Especificações:

CL(IDD) 22 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 45,75ns (min.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.)

Consumo (operando) TBD W*

UL Rating 94 V - 0

Temperatura de Operação 0oC a +85oC

Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com o uso da memória RAM.

Pagamento e Garantia

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