KVR13S9S6/2 - Memória de 2GB SODIMM DDR3 1333Mhz 1,5V 1Rx16 para noteb - KingstonStore

KVR13S9S6/2 - Memória de 2GB SODIMM DDR3 1333Mhz 1,5V 1Rx16 para notebook

Prazo estimado de entrega para itens com estoque local é de 1 a 10 dias e para itens sem estoque local é de até 30 dias.

R$ 185,10

À vista no boleto ou no cartão em até 12x c/ juros

Entrega: Até 30 dias úteis

Descrição
Avaliações (0)

2GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 SODIMM 1Rx16

INFORMAÇÕES DO PRODUTO
Tipo:	Memória KVR Padrão
Fabricante:	Kingston Technology
Categoria:	Memórias
Código de Produto:	Código UPC	Peso do Produto	Peso do Produto no Blister	Dimensões do Produto (larg. x alt.)	Dimensões do Produto na embalagem
KVR13S9S6/2	740617195699	7,08g	14,97g	30 X 67,60 x 3,3mm	45,72 x 95,25 x 7,62mm
Descrição:	A memória ValueRAM da Kingston® para notebook é extremamente confiável, pois foi projetada e testada para assegurar compatibilidade com todas as marcas de placa mãe mais conhecidas. Ideal para aqueles que querem montar suas máquinas e procuram a melhor qualidade em memória padrão, a memória ValueRAM da Kingston® é totalmente compatível com as especificações JEDEC, 100% testada e amparada por garantia vitalícia.
Descrição Resumida:	A memória ValueRAM da Kingston® para notebook é extremamente confiável, pois foi projetada e testada para atender os padrões da indústria.
Destaques:
Capacidades:	2GB
Velocidades da Frequência:	1333MHz
Cor:	padrão
Garantia:	Vitalícia
Suporte Técnico Local:	Gratuito. 0800 810 5464
Características / Benefícios:	Tensão padrão JEDEC 1.5V (1.425V~1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 667MHz fCK para 1333Mb/sec/pin Latência CAS Programável: 9, 8, 7, 6 Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock Latência de Escrita CAS programável (CWL) = 7 (DDR3-1333) 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial “000”), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS] Data Strobe Diferencial bi-direcional Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%) Terminação no Die usando o pino ODT Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C Reset assíncrono PCB: Altura 1.18” (30mm), componente de ambos os lados
Especificações:	CL(IDD) 9 ciclos Row Cycle Time (tRCmin) 49.5ns (mín.) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.) Row Active Time (tRASmin) 36ns (min.) Consumo de energia 1.200 W* UL Rating 94 V - 0 Temperatura de Operação 0^oC a 85^oC Temperatura de Armazenamento -55^oC a +100^oC *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.