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KVR24S17S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 2400Mhz 1,2V 1Rx8 para notebook

R$ 434,70

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8GB 2400MHz DDR4 Non-ECC CL17 SODIMM 1Rx8

INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo:

Memória KVR Padrão

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Código de Produto:

Código UPC

Peso do Produto no Blister

Peso do Produto no Blister

Dimensões do Produto

(larg. x alt. x espessura)

Dimensões do Produto na embalagem

(larg. x alt. x espessura)

KVR24S17S8/8

740617262711

43,54g

1,25Kg

1,3 x 25,4 x 18,4cm

23,5 x 19,7 x 15,24cm

Descrição:

 

 

 

A ValueRAM, KVR24S17S8/8 é um módulo de memória padrão da Kingston, que oferece desempenho e a garante a premiada confiabilidade dos produtos Kingston.

Descrição Resumida:

A memória ValueRAM da Kingston® para notebook foi projetada e testada para atender os padrões da indústria e por isso, é extremamente confiável.  

Destaques:

Memória para notebook padrão.

Frequência de operação:

2400MHz

Cor:

Padrão

Garantia:

Vitalícia

Suporte Técnico Local:

Gratuito. 0800 810 5464

Características / Benefícios:

• Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico

• VDDQ = 1,2 V Típico

• VPP = 2.5V Típico

• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

• Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais

• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

• Geração e calibração VREFDQ no DIE

• Single Rank

• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada

• Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

• BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

• Topologia fly-by

• Comando de controle e barramento de endereços

• PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

• Em conformidade com RoHS e sem halogênios

Especificações:

CL (IDD) – 17 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) – 45,75ns (min.)

Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)

Potência Máxima de Operação – TBD W*

Classificação UL 94 V - 0

Temperatura de operação – 0oC a +85oC

Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC

*Energia pode variar dependendo do SDRAM utilizado.

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