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8GB 2400MHz DDR4 Non-ECC CL17 SODIMM 1Rx8
INFORMAÇÕES DO PRODUTO |
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Tipo: |
Memória KVR Padrão |
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Fabricante: |
Kingston Technology |
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Categoria: |
Memórias |
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Código de Produto: |
Código UPC |
Peso do Produto no Blister |
Peso do Produto no Blister |
Dimensões do Produto (larg. x alt. x espessura) |
Dimensões do Produto na embalagem (larg. x alt. x espessura) |
KVR24S17S8/8 |
740617262711 |
43,54g |
1,25Kg |
1,3 x 25,4 x 18,4cm |
23,5 x 19,7 x 15,24cm |
Descrição:
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A ValueRAM, KVR24S17S8/8 é um módulo de memória padrão da Kingston, que oferece desempenho e a garante a premiada confiabilidade dos produtos Kingston. |
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Descrição Resumida: |
A memória ValueRAM da Kingston® para notebook foi projetada e testada para atender os padrões da indústria e por isso, é extremamente confiável. |
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Destaques: |
Memória para notebook padrão. |
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Frequência de operação: |
2400MHz |
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Cor: |
Padrão |
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Garantia: |
Vitalícia |
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Suporte Técnico Local: |
Gratuito. 0800 810 5464 |
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Características / Benefícios: |
• Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico • VDDQ = 1,2 V Típico • VPP = 2.5V Típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ no DIE • Single Rank • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada • Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS) • BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) • Topologia fly-by • Comando de controle e barramento de endereços • PCB: Altura 1,18” (30,00 mm) • Em conformidade com RoHS e sem halogênios |
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Especificações: |
CL (IDD) – 17 ciclos Row Cycle Time (tRCmin) – 45,75ns (min.) Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.) Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.) Potência Máxima de Operação – TBD W* Classificação UL 94 V - 0 Temperatura de operação – 0oC a +85oC Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC *Energia pode variar dependendo do SDRAM utilizado. |