KCP3L16SD8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR3 1600Mhz 1,35V 2Rx8 para notebook

SKU: KCP3L16SD8/8

Preço:
Preço promocionalR$ 692,10

Descrição

 

8GB 1600MHz Low Voltage SODIMM

Códigos de memórias equivalentes:
Dell: A7022339
HP: 693374-001; 693374-005; B4U40AA; H6Y77AA; H6Y77ET; H6Y77UT; L4Z10AV;  L6F42AV
Lenovo: 0B47381; 5M30G18424
Panasonic: CF-KBAS08GM
Toshiba: PA5104U-1M8G

 

INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo:

Memória Proprietária

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Código de Produto:

Código UPC

Peso do Produto

Peso do Produto no Blister

Dimensões do Produto

(larg. x alt. x espessura)

Dimensões do Produto na embalagem

(larg. x alt. x espessura)

KCP3L16SD8/8

740617253757

7,08g

14,97g

67,60 X 30 x 3,3mm

45,72 x 95,25 x 7,62mm

 

 

 

 

 

 

Descrição:

 

 

 

As Memórias KCP da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos.

Descrição Resumida:

A memória proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de compatibilidade com sistemas específicos.

Destaques:

Compatível com: Acer, Asus, Dell, Fujitsu, HP, Lenovo, NEC, Samsung, Toshiba, outros. Para consultar compatibilidade com seu sistema consulte o configurador de memória: http://www.kingston.com/br/memory/search/options/

Capacidade:

8GB

Velocidade da Frequência:

1600MHz

Cor:

Padrão

Garantia:

Vitalícia

Suporte Técnico Local:

Gratuito. 0800 810 5464

Preço Revenda:

Campo a ser preenchido pelo distribuidor

Características / Benefícios:

DDR3L

Tensão 1,35V

VDDQ = 1,35V

800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin

Latência (CAS) programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6

Latência aditiva programável: 0, CL -2, ou clock CL -1

8 Bancos internos independentes

8-bit pre-fetch

Burst length (BL) de 8 ou 4 com tCCD – 4 não permite leitura e gravação simultâneas

Calibração interna (automática): calibração interna automática através do pino ZQ (RZQ: 240 ohms ± 1%)

Data Strobe Bi-direcional diferencial

Terminação na placa utilizando o pino ODT

Período médio de atualização 7.8us a temperaturas internas menores que 85°C, 3,9us a 85°C < Temperatura interna < 95°C

Redefinição Assíncrona

PCB: Altura 1,180” (30mm), componentes em ambos os lados

Especificações:

CL(IDD) 11 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 45,125ns (mín.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)

UL Rating 94 V – 0

Consumo máximo em operação (1,35V) = 2,721W*

Temperatura de Operação 0oC a 85oC

Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso.

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